FF200R06KE3 მონაცემთა ცხრილი, მახასიათებლები და სამრეწველო პროგრამები
2025-04-03 193

FF200R06KE3 Infineon Technologies არის ძლიერი კომპონენტი, რომელიც გამოიყენება მაღალი ენერგიის საჭიროებების ეფექტურად მართვისთვის.ეს მოდული შეფუთულია მცირე ზომით, მაგრამ აწვდის მაღალ ეფექტურობას IGBT მოწინავე ტექნოლოგიით და სპეციალური მახასიათებლებით უკეთესი ეფექტურობისთვის.ეს სტატია განმარტავს მოდულის მთავარ მახასიათებლებს, დიზაინს და სარგებელს, ხაზს უსვამს მის როლს სხვადასხვა პროგრამებში.

კატალოგი

FF200R06KE3 მიმოხილვა

განსაზღვრული არ FF200R06KE33, Infineon Technologies- ის მიერ შექმნილი, არის ორმაგი იზოლირებული კარიბჭე ბიპოლარული ტრანზისტორი (IGBT) მოდული, რომელიც გამოირჩევა მისი 600 ვ, 200 სპეციფიკაციით.კომპაქტური 62 მმ პაკეტში, იგი აერთიანებს Trenchstop ™ IGBT3 ტექნოლოგიას Emitter– ის კონტროლირებად 3 დიოდთან.ეს ინტეგრაცია ზრდის როგორც ეფექტურობას, ასევე შესრულებას, რაც მას უმაღლესი არჩევანია პროგრამებისთვის, რომლებიც საჭიროებენ ენერგიის მძლავრ მენეჯმენტს.

მათთვის, ვინც ეძებს ნაყარი შეკვეთების განთავსებას, FF200R06KE3 გთავაზობთ საიმედო და მაღალი შემსრულებელ გადაწყვეტას თქვენი საჭიროებების დასაკმაყოფილებლად.

FF200R06KE3 თვისებები

• ძაბვის და დენის რეიტინგები: შეუძლია 600 V და 200 A– მდე მართვა, რაც მას შესაფერისია მაღალი ენერგიის პროგრამებისთვის.

• მოწინავე ტექნოლოგია: იყენებს TrenchStop ™ IGBT3 და Emitter- ს კონტროლირებადი 3 დიოდური ტექნოლოგიით ოპტიმიზირებული გადართვის მახასიათებლებისთვის, მათ შორის გაუმჯობესებული რბილობისა და გადართვის შემცირების დანაკარგებისთვის.

• მაღალი ოპერაციული ტემპერატურა: შექმნილია ტემპერატურა 150 ° C ტემპერატურაზე, რაც უზრუნველყოფს მოთხოვნილ პირობებში საიმედოობას.

• სამონტაჟო სტილი: შეიცავს ხრახნიანი დამონტაჟების დიზაინს უსაფრთხო და პირდაპირი ინსტალაციისთვის.

• UL/CSA სერთიფიკატი: დამოწმებული UL1557 E83336, აკმაყოფილებს მკაცრი უსაფრთხოებისა და შესრულების სტანდარტებს.

• ROHS შესაბამისობა: შეესაბამება საშიში ნივთიერებების დირექტივის შეზღუდვას, რაც ასახავს მის ეკოლოგიურად დიზაინს.

FF200R06KE3 სპეციფიკაციები

მაქსიმალური შეფასებული მნიშვნელობები

დამახასიათებელი მნიშვნელობები

FF200R06KE3 მიკროსქემის დიაგრამა

მიკროსქემის დიაგრამა გვიჩვენებს FF200R06KE3 IGBT მოდულის შიდა სტრუქტურას.მას აქვს ორი IGBT ტრანზისტორი, რომელიც დაკავშირებულია ნახევარ ხიდის კონფიგურაციაში, რაც გავრცელებულია პროგრამების გადართვისთვის, როგორიცაა ინვერტორები და საავტომობილო დრაივები.ტერმინალები 1 და 3 არის თითოეული IGBT კოლექციონერები, ხოლო ტერმინალები 2 და 4 არის emitters.თითოეული IGBT დაწყვილებულია ანტი-პარალელური დიოდით, რაც საშუალებას აძლევს დინებას გადინების დროს საპირისპირო მიმართულებით მიედინება.ტერმინალები 5 და 6 წარმოადგენს კარიბჭის კონტროლს IGBT– სთვის, ხოლო ტერმინალი 7 არის საერთო emitter კავშირი.ეს განლაგება მხარს უჭერს ეფექტურ გადართვას და საიმედო საპირისპირო აღდგენას ჩაშენებული დიოდების საშუალებით.იგი შექმნილია მაღალი დენებისა და ძაბვის მოსაგვარებლად, შემცირებული ენერგიის დაკარგვით.FF200R06KE3 არის პრაქტიკული გადაწყვეტა იმ სისტემებისთვის, რომელთაც სჭირდებათ სტაბილური, მაღალი ხარისხის გადართვა.

FF200R06KE3 ალტერნატივები

• AMFF200R06KE33

• FF200R12KE33

• FF300R06KE33

• FF200R06KE3HOSA1

• FF200R06KE3-B2

FF200R06KE3 პროგრამები

სიხშირეზე კონტროლირებადი ინვერტორული დისკები

მოდულის ოპტიმიზირებული გადართვის მახასიათებლები, როგორიცაა გადართვის დაკარგვის შემცირება და გაუმჯობესებული რბილობა, აძლიერებს ინვერტორული სისტემების შესრულებას და ეფექტურობას.​

სამრეწველო საავტომობილო დისკები

მაღალი დენებისა და ძაბვების მართვის უნარი, FF200R06KE3 კარგად არის შესაფერისი დიდი სამრეწველო ძრავის კონტროლისთვის, რაც უზრუნველყოფს საიმედო და ზუსტი საავტომობილო ოპერაციას.

კვების წყაროები

მოდულის მაღალი ენერგიის მართვის შესაძლებლობები მას იდეალურს ხდის ელექტრომომარაგების ერთეულებში გამოყენებისთვის, რომლებიც საჭიროებენ ენერგიის ეფექტურ კონვერტაციას და მენეჯმენტს.

განახლებადი ენერგიის სისტემები

ისეთ პროგრამებში, როგორიცაა მზის და ქარის ენერგიის კონვერტაცია, FF200R06KE3 შეიძლება გამოყენებულ იქნას განახლებადი წყაროებიდან ენერგიის ეფექტური გადაცემისა და გადაქცევის მიზნით.

FF200R06KE3 პაკეტის მონახაზი

FF200R06KE3- ის შეფუთვის დიაგრამა გვიჩვენებს მოდულის დეტალურ მექანიკურ განლაგებას.იგი იყენებს სტანდარტულ 62 მმ -ს საცხოვრებელს, სიგრძით 106.4 მმ და სიგანე 62 მმ.მოდულს აქვს სამი ძირითადი ტერმინალი ძალაუფლების კავშირებისთვის, თითოეული მათგანი თანაბრად დაშორებულია 28 მმ -ზე, ორივე ბოლოზე დამონტაჟებული ხვრელები უსაფრთხო ინსტალაციისთვის.საცხოვრებლის სიმაღლე დაახლოებით 30 მმ -ია, ტერმინალის ქინძისთავების ჩათვლით.მასში შედის 7-პინიანი კონტროლის კონექტორი (DIN46244-A2.8-0.5-bz) მხარეზე კარიბჭისა და ემიტერის სიგნალის კონტროლისთვის.ნახაზში ასევე მოცემულია სამონტაჟო სიღრმეები (მინიმუმ 7 მმ, მაქსიმუმ 10 მმ) და ტოლერანტობა ISO2768 სტანდარტების შესაბამისად.ეს სტანდარტიზებული მონახაზი დაგეხმარებათ მარტივად ინტეგრირდეთ მოდულის თქვენს დიზაინში ზუსტი მონტაჟი და გაყვანილობა.

FF200R06KE3 სარგებელი

მაღალი ეფექტურობა: IGBT– ის მოწინავე ტექნოლოგიის გამოყენებით, მოდული აღწევს დაბალ სახელმწიფო ძაბვის ვარდნას, რის შედეგადაც შემცირდება გამტარობის ზარალი და გაუმჯობესდა საერთო ეფექტურობა.

ძლიერი თერმული შესრულება: შექმნილია კარგი თერმული სტაბილურობისთვის, FF200R06KE3 შეუძლია ეფექტურად იმუშაოს მაღალი ტემპერატურის პირობებში, რაც უზრუნველყოფს თანმიმდევრულ შესრულებას და ხანგრძლივობას.

გამოყენების მარტივია: მოდულში განთავსებულია ხრახნიანი დამონტაჟებული დიზაინი, რომელიც ხელს უწყობს პირდაპირ და უსაფრთხო ინსტალაციას სხვადასხვა სისტემაში.​

კომპაქტური დიზაინი: 106.4 მმ სიგრძით, FF200R06KE3 გთავაზობთ კომპაქტურ ფორმის ფაქტორს, რომლის საშუალებითაც შესაძლებელია აღჭურვილობისა და სისტემების შიგნით სივრცის ეფექტურად გამოყენება.​

მწარმოებელი

Infineon Technologies AG, რომელიც მდებარეობს გერმანიის Neubibiberg– ში, არის წამყვანი გლობალური ნახევარგამტარული მწარმოებელი.დაარსდა 1999 წელს, როგორც Siemens AG– დან სპინ-ოფისგან, Infineon გაიზარდა, რომ იგი გახდა მსოფლიოში ერთ-ერთი საუკეთესო ნახევარგამტარული კომპანია.კომპანიაში დასაქმებულია დაახლოებით 58,000 ადამიანი და 2024 წელს დაახლოებით 15 მილიარდი ევროს გაყიდვა გამოაცხადა.

FF200R06KE3 წინააღმდეგ FF200R12KE3 შედარება

პარამეტრი	FF200R06KE33	FF200R12KE33
კოლექციონერი-ემიტერის ძაბვა (VCES)	600 ვ	1200 ვ
უწყვეტი შემგროვებელი დენი (iგ)	200 ა	200 ა
პაკეტის ტიპი	62 მმ	62 მმ
IGBT ტექნოლოგია	Trenchstop ™ IGBT3	Trenchstop ™ IGBT3
დიოდური ტექნოლოგია	Emitter აკონტროლებდა 3 დიოდს	Emitter აკონტროლებდა მაღალი ეფექტურობის დიოდს
საოპერაციო კავშირის ტემპერატურა (TVJ OP)	150 ° C- მდე	125 ° C- მდე
კოლექციონერი-ემიტერის გაჯერების ძაბვა (Vცეზატი)	1.9 V at VGE = 15 V, ic = 200 ა	2.0 V at VGE = 15 V, ic = 200 ა
შეყვანის ტევადობა (CIE)	13.0 NF	14.0 NF
საპირისპირო გადაცემის ტევადობა (CRES)	0.5 NF	0.5 NF
კარიბჭის მუხტი (QG)	1.9 μc	1.9 μc
შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა (RGINT)	3.8 Ω	3.8 Ω
ჩართვის შეფერხების დრო (tდ (ჩართან))	0.25 μs	0.25 μs
RISE TIME (TR)	0.09 μs	0.09 μs
შეფერხების დრო (tდ (გამორთული))	0.55 μs	0.55 μs
შემოდგომის დრო (TF)	0.13 μs	0.13 μs
ენერგიის მთლიანი დაშლა (გვტოტი)	680 W	1050 W
იზოლაციის ტესტის ძაბვა (Vიზოლირება)	2500 ვ	2500 ვ
წონა	340 გ	340 გ
სამონტაჟო სტილი	ხრახნიანი დამონტაჟება	ხრახნიანი დამონტაჟება
დამოწმება	UL1557 E83336	UL1557 E83336
ROHS შესაბამისობა	დიახ	დიახ

დასკვნა

მოკლედ რომ ვთქვათ, FF200R06KE3 მოდული Infineon Technologies- დან აჩვენებს ინოვაციას ენერგიის მენეჯმენტში.იგი შექმნილია მოთხოვნადი პროგრამების ფართო სპექტრის მხარდასაჭერად, მისი მაღალი ეფექტურობით და ძლიერი შესრულებით.ეს სტატია გვიჩვენებს, თუ რატომ არის FF200R06KE3 საიმედო არჩევანი ყველასთვის, ვისაც სჭირდება მოწინავე ძალაუფლების გადაწყვეტილებები, რაც მას მნიშვნელოვან ინსტრუმენტად აქცევს თანამედროვე ინდუსტრიულ გარემოში.

მონაცემთა ცხრილი PDF

FF200R06KE3 მონაცემთა ცხრილი:

FF200R06KE3.PDF
FF200R06KE3 დეტალები PDF
FF200R06KE3 PDF - DE.PDF
FF200R06KE3 PDF - FR.PDF
FF200R06KE3 PDF - ES.PDF
FF200R06KE3 PDF - IT.PDF
FF200R06KE3 PDF - KR.PDF