| 2EDS8165HXUMA2 | |
|---|---|
| ნაწილი ნომერი | 2EDS8165HXUMA2 |
| მწარმოებელი | Infineon Technologies |
| აღწერა | IC GATE DRIVER HALF-BRIDGE DSO16 |
| რაოდენობა ხელმისაწვდომია | 2800 pcs new original in stock. მოითხოვეთ საფონდო და ციტატა |
| ECAD მოდელი | |
| მონაცემთა ბაზები | 1.2EDS8165HXUMA2.pdf2.2EDS8165HXUMA2.pdf3.2EDS8165HXUMA2.pdf |
| 2EDS8165HXUMA2 Price |
მოთხოვნა ფასი & წამყვანი დრო თამაშობს or Email us: Info@ariat-tech.com |
| 2EDS8165HXUMA2- ის ტექნიკური ინფორმაცია | |||
|---|---|---|---|
| მწარმოებელი ნაწილი ნომერი | 2EDS8165HXUMA2 | კატეგორია | ინტეგრირებული სქემები (ICs) |
| მწარმოებელი | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | აღწერა | IC GATE DRIVER HALF-BRIDGE DSO16 |
| პაკეტი / საქმე | PG-DSO-16-30 | რაოდენობა ხელმისაწვდომია | 2800 pcs |
| ძაბვა - მიწოდება | 20V | მიმწოდებელი მოწყობილობა პაკეტი | PG-DSO-16-30 |
| სერია | EiceDriver™ | ზრდა / საშემოდგომო დრო (ტიპ) | 6.5ns, 4.5ns |
| პაკეტი / საქმე | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | ფუთა | Tape & Reel (TR) |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 125°C (TA) | მძღოლების რაოდენობა | 2 |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount | ლოგიკური ძაბვა - VIL, VIH | -, 1.65V |
| შეყვანის ტიპი | Non-Inverting | კარიბჭე ტიპი | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| დისკის კონფიგურაცია | Half-Bridge | მიმდინარე - Peak გამოყვანის (წყარო, ჩაიძიროს) | 1A, 2A |
| არხის ტიპი | Independent | ბაზის პროდუქტის ნომერი | 2EDS8165 |
წარმოების ნაწილი ნომერი
2EDS8165HXUMA2
აღწერა
2EDS8165HXUMA2 არის მაღალი სიჩქარით და მაღალი ამპერაჟით გასატანი მართვა Infineon Technologies-დან. იგი შექმნილია N-ჩათვისი და P-ჩათვისი MOSFET-ების მართვისთვის ნახევრად ხიდურ კონფიგურაციებში, რაც შეარჩიებს მას ენერგიის გადაცემის მრავალფეროვან აპლიკაციებში.
პროდუქტის შეფუთვა
ფირფიტა და რგოლი (TR) შეფუთვა
16-SOIC (0.295", 7.50მმ სიგანე) ზედაპირული მიტანით შეფუთვა
PG-DSO-16-30 შეფუთვა
რატომ აირჩიოთ ეს პროდუქტი?
2EDS8165HXUMA2 სთავაზობს უდიდეს ეფექტურობას და სანდოობას, რაც იდეალურ არჩევანს ქმნის ენერგიის გადაცემის რთული აპლიკაციებისთვის. მისი მაღალი სიჩქარის გადართვის შესაძლებლობები, მაღალი ამპერაჟის წამყვანობა და ფართო ტემპერატურული დიაპაზი, ეს გასატანი მართვა შეუძლებს გააუმჯობესოს ენერგიის სისტემების ეფექტურობა და შესრულება.
აკვანტური მახასიათებლები
ორმაგი დამოუკიდებელი გასატანი მართვის არხები
მაღალი სიჩქარით გადართვა 6.5ns და 4.5ns ტიპური 상승/ვარდნის დროებით
1A წყარო და 2A გადის მაღალი ამპერაჟის წამყვანობის შესაძლებლობა
ფართო შესავალი რთვის დიაპაზონი 20V-მდე
თავსებადია 1.65V ლოგიკური სიგნალების
ფუნქციონირებს ფართო ტემპერატურული დიაპაზონში -40°C-დან 125°C-მდე
პროდუქტის თავსებადობა
2EDS8165HXUMA2 თავსებადია N-ჩათვისი და P-ჩათვისი MOSFET-ების ფართო სპექტრთან, რაც მას შესაფერისი ხდის სხვადასხვა ენერგიის გადაცემის აპლიკაციებისთვის.
უპირველესი უპირატესობები
ენერგიის სისტემების ეფექტურობის და შესრულების გაუმჯობესება
სანდო და გამძლე დიზაინი რთულ აპლიკაციებში
ადვილი ინტეგრაცია სხვადასხვა ენერგიის მოწყობილობებთან
ოპტიმიზებული მაღალი სიჩქარით გადართვისთვის და მაღალი ამპერაჟის წამყვანობისთვის
პროდუქტის ციკლი
2EDS8165HXUMA2 არის აქტიური პროდუქტი. შეიძლება გაიცემოს შესაბამისი ან ალტერნატიული მოდელები. დამატებითი ინფორმაციისთვის გთხოვთ, დაუკავშირდეთ ჩვენს გაყიდვების გუნდს ჩვენს ვებსაიტზე.
პროდუქტის ძირითადი გამოყენების სფეროები
ენერგიის გადაცემა
ძრავის მართვა
ბატარეის მართვის სისტემები
განახლებადი ენერგიის სისტემები
ინდუსტრიული ავტომატიზაცია
მოიქცე ახლა
მომხმარებლებს რეკომენდირებულია მიღების საკითხებზე ციტატები ჩვენს ვებსაიტზე. მიიღეთ ციტატა ახლა, რათა გაიგოთ მეტი თუ როგორ შეუძლია 2EDS8165HXUMA2-მა მოტანა მოგების თქვენს ენერგიის გადაცემის აპლიკაციებში.
მოგვმართეთ ელ.ფოსტით: Info@Ariat-Tech.com ან RFQ 2EDS8165HXUMA2 ინტერნეტით.
| 2EDS8165HXUMA2 საფონდო | 2EDS8165HXUMA2 ფასი | 2EDS8165HXUMA2 ელექტრონიკა |
| 2EDS8165HXUMA2 კომპონენტები | 2EDS8165HXUMA2 ინვენტარი | 2EDS8165HXUMA2 დიგიკი |
| მიმწოდებელი 2EDS8165HXUMA2 | შეუკვეთეთ 2EDS8165HXUMA2 ონლაინ რეჟიმში | გამოკვლევა 2EDS8165HXUMA2 |
| 2EDS8165HXUMA2 სურათი | 2EDS8165HXUMA2 სურათი | 2EDS8165HXUMA2 PDF |
| 2EDS8165HXUMA2 მონაცემთა ცხრილი | ჩამოტვირთეთ 2EDS8165HXUMA2 მონაცემთა ცხრილი | მწარმოებელი Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
